Рубликатор

 



























Все о псориазе



Андрей Кадуков

TVS-диоды General Cemiconductor Малоемкостные дискретные TVS-диоды TRANSZORB® серии LCE6.5—LCE28A

   Диоды серии LCE6.5–LCE28A — это специальные диоды с пониженной емкостью за счет включения последовательно с несимметричным TVS-диодом быстродействующего импульсного диода, как это показано на рис. 11.

В результате получается TVS-диод с максимально эффективной емкостью 100 пф. Такой диод является идеальным решением для защиты высокоскоростных линий передачи данных. Габаритные размеры диодов этой серии такие же, как у диодов серии 1,5КЕ.


Таблица 5. Предельные эксплуатационные характеристики

Параметр Обозначение Значение параметра Ед. изм.
Макс. имп. мощность (имп.- 10/100 мкс.) (1) (2) Pppm Мин. 1500 Вт
Макс. имп. ток (имп.- 10/100 мкс) (1) (2) Ippm См. следующую таблицу А
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=75°, длине выводов 9,5 мм Pm (av) 6,5 Вт
Температура окружающей среды Т -65...+175 °С

Примечание. (1) При одиночном импульсе тока и при температуре 25°С. (2) См. рисунок 4.

Таблица 6. Электрические параметры

Тип Посто янное обратное напря жение Vwm (B) Напря жение пробоя V(br) (B) Напря жение пробоя V(br) (B)
Max    Min
Макс. обр. ток при Vwm Id (мкА) Макс. напря жение ограни чения при Ippm Vc (B) Макс. имп. ток ограни чения Ippm (A) Макс. емкость (пФ) Раб. напря жение противо положной поляр ности Vwib Макс. ток противо положной поляр ности при Vwib Iib (mA) Мин. импульс напряж. противо положной поляр ности Vpib (B)
LCE6.5- 6.5 7.22 8.82    10.00 1000 12.3 100 100 75 1.0 100
LCE28А 28 31.1 43.4    1.0 5.0 45.5 33 100 75 1.0 100


     
Рис. 11. Малоемкостной TVS-диод Рис. 12. Зависимость Pppm от td для серий дискретных TVS-диодов серии LCE6.5 - LCE28A Рис. 13. Зависимость Pppот Т для серий лискретных TVS-диодов серии LCE6.5 - LCE28A


TVS-диоды TRANSZORB® серии P6KE6.8 — P6KE440CA

   Диоды серии P6КЕ6,8–P6КЕ440СА выпускаются в симметричном и несимметричном исполнении. В обозначении симметричного диода добавляется суффикс С или СА.

 
  


Таблица 7. Предельные эксплуатационные характеристики

Параметр Обозначение Значение параметра Ед. изм.
Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс) (1) Pppm Min. 600 Вт
Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс) (1) Ippm См. следующую таблицу А
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=75°, длине выводов 9,5 мм P m(av) 5,0 Вт
Макс прямой ток, только для несимметричных диодов Ifsm 100 A
Макс. имп. прямое напряжение при 100 А, только для несимметричных диодов Vf 3,5/5,0 V
Температура окружающей среды Т -55...+175 °С


Примечание. (1) См. рисунок 4

Таблица 8. Электрические параметры

Тип Напряжение пробоя V(br) (B)
Макс.    Мин.
Тест. ток пробоя It (mA) Постоянное обратное напряжение Vwm (B) Макс. обр. ток при Vwm Id (мкА) (1) Макс. имп. ток ограни чения Ippm (A) Макс. напря жение ограни чения при Ippm Vc (B) Темпер. коэф. напря жения пробоя (%/°С)
Р6КЕ6.8 - 6.12    7.48 10 5.5 1000 55.6 10.8 0.057
Р6КЕ440А 418    462 1.0 376 1.0 1.0 602 0.110


Примечание. (1) Для симметричных диодов с Vwm=10 В и менее, значение Id в два раза меньше. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями V(br).

Малоемкостные TVS-диоды TRANSZORB® серии SAC5.0–SAC50


   Принцип работы малоемкостных диодов серии SAC5.0–SAC50 аналогичен принципу работы диодов серии LCE6.5–LCE28A. Габаритные размеры диодов этой серии такие же, как у диодов серии P6КЕ.

Таблица 11. Предельные эксплуатационные характеристики.

Параметр Обозначение Значение параметра Ед. изм.
Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс) (1) Pppm Min. 5000 Вт
Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс) (1) Ippm См. следующую таблицу А
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=75°, длине выводов 9,5 мм P m(av) 8,0 Вт
Макс прямой ток, только для несимметричных диодов Ifsm 500 A
Макс. имп. прямое напряжение при 100 А, только для несимметричных диодов Vf 3,5 V
Температура окружающей среды Т -55...+175 °С


Примечание. (!) См. рисунок 4.

Таблица 12. Электрические параметры

Тип Напряжение пробоя V(br) (B)
Макс.    Мин.
Тест. ток пробоя It (mA) Постоянное обратное напряжение Vwm (B) Макс. обр. ток при Vwm Id (мкА) (1) Макс. имп. ток ограни чения Ippm (A) Макс. напря жение ограни чения при Ippm Vc (B) Темпер. коэф. напря жения пробоя (%/°С)
РКР5.0 - 6,4    7,30 50 5,0 2000 521 9,6 0,057
РКР110А 122    135 5,0 110 2,0 28,2 177 0.112


Примечание. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями V(br).

Таблица 9. Предельные эксплуатационные характеристики

Параметр Обозначение Значение параметра Ед. изм.
Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс.) (1) (2) Pppm Мин. 500 Вт
Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс) (1) (2) Ippm См. следующую таблицу А
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=75°, длине выводов 9,5 мм Pm (av) 3,0 Вт
Температура окружающей среды Т -65...+175 °С


Примечание. (1) При одиночном импульсе тока и при температуре 25°С. (2) См. рисунок 4.

Таблица 10. Электрические параметры

Тип Посто янное обратное напря жение Vwm (B) Мин. напря жение пробоя при It=1,0mA V(br) (B) Макс. обр. ток при Vwm Id (мкА) Макс. напря жение ограни чения при Ipp=5,0A Vc (B) Макс. имп. ток ограни чения Ippm (A) Макс. емкость (пФ) Раб. напря жение противо положной поляр ности Vwib (B) Макс. ток противо положной поляр ности при Vwib Iib (mA) Мин. импульс напряж. противо положной поляр ности Vpib (B)
SAC5.0 5.0 7.60 300 10.0 44 50 75 1.0 100
SAC50 50 55,5 5.0 88,0 5,8 50 150 1.0 200


Примечание. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями V(br).

   График зависимости Ppp от T этой серии диодов аналогичен соответствующему графику для серии LCE6.5–LCE28A.

TVS-диоды TRANSZORB® серии 5KP5.0–5KP110A

   Диоды серии 5KP5.0– 5KP110A выпускаются только в несимметричном исполнении. Диоды этой серии отличает высокое значение максимальной импульсной мощности (Pppm) — 5000 Вт и высокое быстродействие (без учета паразитной индуктивности) — менее 1 пс.





TVS-диоды TRANSZORB® в корпусах для поверхностного монтажа (SMD-корпусах)

   TVS-диоды TRANSZORB® в корпусах для поверхностного монтажа (SMD-корпусах) обычно используются для монтажа непосредственно на печатные платы защищаемого оборудования. Они предназначены для защиты линий передачи данных, портов ввода/вывода и других цепей, содержащих чувствительные электронные компоненты от импульсных перенапряжений, вызываемых электростатическими, коммуникационными и грозовыми разрядами. Размеры используемых корпусов делают такие диоды идеальным средством защиты для применения в приложениях с высокой плотностью расположения компонентов, например переносные радиостанции, сотовые телефоны и радиотелефоны, и в другом малогабаритном электронном оборудовании.
   Они характеризуются широким диапазоном рабочих напряжений (от 5,0 до 328 В) и напряжениями ограничения (от 9,6 до 328 В), малым временем срабатывания, способностью подавлять импульсы перенапряжений высокой мощности (до 1500 Вт при форме импульса 10/1000 мкс).

TVS-диоды TRANSZORB® серии 1,5SMC

   Диоды серии 1,5SMC выпускаются в симметричном и несимметричном исполнении. В обозначении симметричного диода добавляется суффикс СА. Например, 1,5SMC10CA. В несимметричных диодах для обозначения катода на корпусе наносится специальная полоса (см. габаритный чертеж 1,5SMC).

    


График, иллюстрирующий зависимость Ppp или Ipp от T для диодов серии 1,5SMC аналогичен приведенному на рис.15 графику для диодов серии P6КЕ6,8 — P6КЕ440СА.

TVS-диоды TRANSZORB® серии P6SMB

   Диоды серии P6SMB выпускаются в симметричном и несимметричном исполнении. В обозначении симетричного диода используется суффикс СА. Например, P6SMB10CA. В несимметричных диодах, для обозначения катода на корпусе наносится специальная полоса (см. габаритный чертеж P6SMB).

Таблица 13. Предельные эксплуатационные характеристики

Параметр Обозначение Значение параметра Ед. изм.
Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс.) (1) Pppm Мин. 1500 Вт
Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс) (1) Ippm См. следующую таблицу А
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=50°, длине выводов 9,5 мм Pm (av) 6,5 Вт
Макс.прямой ток, только для несимметричных диодов (2) Ifsm 200 А
Температура окружающей среды Т -65...+150 °С

   Примечание. (1) При одиночном импульсе тока (рис. 4) и при температуре 25 °С. (2) Измеряется только для несимметричных диодов при воздействии одиночного импульса в виде синусоидальной полуволны длительностью 8,3 мс (JEDEC метод).

Таблица 14. Электрические параметры.

Тип (General Semicon- ductor) Напряжение пробоя V(br) (B)
Макс.    Мин.
Тест. ток пробоя It (mA) Постоянное обратное напряжение Vwm (B) Макс. обр. ток при Vwm Id (мкА) (2) Макс. имп. ток ограни чения Ippm (A) (1) Макс. напря жение ограни чения при Ippm Vc (B) Темпер. коэф. напря жения пробоя (%/°С)
1.55МС6.8А- 6,45-    7,14 10 5,80 1000 143 10,5 0,057
1.55МС220А 209    231 1,0 185 1,0 4,6 238 0,108

   Примечание. (1) Форма импульса тока в соответствии с рис. 4. (2) Для симметричных диодов с Vbr=10 B и менее, значение ID в два раза меньше. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями V(br).

   
   


   График, иллюстрирующий зависимость Ppp или Ipp от T для диодов серии P6SMB аналогичен приведенному на рис.15 графику для диодов серии P6КЕ6,8 — P6КЕ440СА.

TVS-диоды TRANSZORB® серии SMAJ5.0- SMAJ188CA

Таблица 15. Предельные эксплуатационные характеристики

Параметр Обозначение Значение параметра Ед. изм.
Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс.) (1) Pppm Мин. 600 Вт
Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс) (1) Ippm См. следующую таблицу А
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=50° Pm (av) 5,0 Вт
Макс.прямой ток, только для несимметричных диодов (2) Ifsm 100 А
Температура окружающей среды Т -65...+150 °С

   Примечание. (1) При одиночном импульсе тока (рис. 4) и при температуре 25 °С. (2) Измеряется только для несимметричных диодов при воздействии одиночного импульса в виде синусоидальной полуволны длительностью 8,3 мс (JEDEC метод).

Таблица 16. Электрические параметры.

Тип (General Semicon- ductor) Напряжение пробоя V(br) (B)
Макс.    Мин.
Тест. ток пробоя It (mA) Постоянное обратное напряжение Vwm (B) Макс. обр. ток при Vwm Id (мкА) (2) Макс. имп. ток ограни чения Ippm (A) (1) Макс. напря жение ограни чения при Ippm Vc (B) Темпер. коэф. напря жения пробоя (%/°С)
Р68МВ6.8А- 6,45-    7,14 10 5,80 1000 57,1 10,5 0,057
Р65МВ220А 209    231 1,0 185 1,0 1,8 238 0,108

   Примечание. (1) Форма импульса тока в соответствии с рис. 4. (2) Для симметричных диодов с Vbr=10 B и менее, значение ID в два раза меньше. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями V(br).



   Диоды серии SMAJ5.0–SMAJ188CA выпускаются в симметричном и несимметричном исполнении. В обозначении симметричного диода добавляется суффикс СА. Например, SMAJ188CA. В несимметричных диодах, для обозначения катода на корпусе наносится специальная полоса (см. габаритный чертеж SMAJ188CA). Диоды этой серии оптимизированы для защиты оборудования локальных вычислительных сетей (ЛВС) от электростатических разрядов, в соответствии с требованиями МЭК 1000-4-2, и от перенапряжений, в соответствии с МЭК 1000-4-4.
Таблица 17. Предельные эксплуатационные характеристики

Параметр Обозначение Значение параметра Ед. изм.
Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс.) (1) Pppm Мин. 400 Вт
Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс) (1) Ippm См. следующую таблицу А
Макс.прямой ток, только для несимметричных диодов (2) Ifsm 40 А
Температура окружающей среды Т -55...+150 °С

   Примечание. (1) При одиночном импульсе тока (рис. 4) и при температуре 25 °С. (2) Измеряется только для несимметричных диодов при воздействии одиночного импульса в виде синусоидальной полуволны длительностью 8,3 мс (JEDEC метод).

Таблица 18. Электрические параметры.

Тип (General Semicon- ductor) Напряжение пробоя V(br) (B)
Макс.    Мин.
Тест. ток пробоя It (mA) Постоянное обратное напряжение Vwm (B) Макс. обр. ток при Vwm Id (мкА) (2) Макс. имп. ток ограни чения Ippm (A) (1) Макс. напря жение ограни чения при Ippm Vc (B)
SMAJ5.0 6,40-    7,14 10 5,80 800 31,1 9,6
SMAJ220А 209    231 1,0 185 1,0 0,91 328

   Примечание. (1) Форма импульса тока в соответствии с рис. 4. (2) Для симметричных диодов с Vbr=10 B и менее, значение ID в два раза меньше. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями V(br).

   График, иллюстрирующий зависимость Ppp или Ipp от T для диодов серии SMAJ5.0– SMAJ188CA аналогичен приведенному на рис. 15 графику для диодов серии P6КЕ6,8– P6КЕ440СА.






TVS-диоды TRANSZORB® серии TGL41-6.8–TGL41-200A.

   
Таблица 19. Предельные эксплуатационные характеристики

Параметр Обозначение Значение параметра Ед. изм.
Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс.) (1) Pppm Мин. 400 Вт
Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс) (1) Ippm См. следующую таблицу А
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=50° Pm (av) 1,0 Вт
Макс.прямой ток, только для несимметричных диодов (2) Ifsm 40 А
Температура окружающей среды Т -55...+150 °С

   Примечание. (1) При одиночном импульсе тока (рис. 4) и при температуре 25 °С. (2) Измеряется только для несимметричных диодов при воздействии одиночного импульса в виде синусоидальной полуволны длительностью 8,3 мс (макс. 4 импульса в минуту).

Таблица 20. Электрические параметры.

Тип (General Semicon- ductor) Напряжение пробоя V(br) (B)
Макс.    Мин.
Тест. ток пробоя It (mA) Постоянное обратное напряжение Vwm (B) Макс. обр. ток при Vwm Id (мкА) (2) Макс. имп. ток ограни чения Ippm (A) (1) Макс. напря жение ограни чения при Ippm Vc (B)
TGL41-6.8- 6,12-    7,48 10 5,50 1000 37,0 10,8
TGL41-200A 190    210 1,0 171 5,0 0,73 274

   Примечание. (1) Форма импульса тока в соответствии с рис. 4. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями V(br).

   Диоды этой серии выпускаются в оригинальных цилиндрических корпусах для поверхностного монтажа. Они выпускаются только в несимметричном исполнении. Для обозначения катода на корпусе наносится специальная полоса голубого цвета (см. габаритный чертеж TGL41-6.8–TGL41-200A ). График, иллюстрирующий зависимость Ppp или Ipp от T для диодов серии TGL41-6.8– TGL41-200A аналогичен приведенному на рис. 15 графику для диодов серии P6КЕ6,8– P6КЕ440СА.

     

postmaster@aogamma.spb.su


Статьи по: ARM PIC AVR MSP430, DSP, RF компоненты, Преобразование и коммутация речевых сигналов, Аналоговая техника, ADC, DAC, PLD, FPGA, MOSFET, IGBT, Дискретные полупрoводниковые приборы. Sensor, Проектирование и технология, LCD, LCM, LED. Оптоэлектроника и ВОЛС, Дистрибуция электронных компонентов, Оборудование и измерительная техника, Пассивные элементы и коммутационные устройства, Системы идентификации и защиты информации, Корпуса, Печатные платы

Design by GAW.RU